特許

J-GLOBAL ID：200903011494032470

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： 甲斐 丈靖 ,  馬場 裕之
出願人/特許権者： OKIセミコンダクタ株式会社 ,  OKIセミコンダクタ宮崎株式会社
代理人 (1件)： 金倉 喬二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-311083
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135315
出願日： 2007年11月30日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：

【課題】サファイア基板の予熱工程における予熱条件を適正にして、サファイア基板の吸引保持を円滑にする手段を提供する。【解決手段】サファイア基板2を大気中で昇温するホットプレート3と、サファイア基板2を、その裏面とホットプレート3とを対向させ、所定の間隔を隔てて支持する支持部6a、6bと、ホットプレート3に設けられ、サファイア基板2の中心部に向けて気体を噴出する噴出穴11と、を備え、ホットプレート3で、サファイア基板2を予熱する場合に、サファイア基板2の予熱条件を、所定の間隔を1mm以下、噴出穴からの気体の噴出量を、20L/min以上とし、予熱の終了条件を、サファイア基板2の中心部温度が、外周縁部温度より65°C以上低くなったときとする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア基板を大気中で昇温するホットプレートと、 前記サファイア基板を、その裏面と前記ホットプレートとを対向させ、所定の間隔を隔てて支持する支持部と、 前記ホットプレートに設けられ、前記サファイア基板の中心部に向けて気体を噴出する噴出穴と、を備え、 前記ホットプレートで、前記サファイア基板を予熱する場合に、 前記サファイア基板の予熱条件を、前記所定の間隔を1mm以下、前記噴出穴からの前記気体の噴出量を、20L/min以上とし、 前記予熱の終了条件を、前記サファイア基板の中心部温度が、外周縁部温度より65°C以上低くなったとき、としたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (1件)：

H01L 21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (6件)：

5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045EK25 ,  5F045HA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 気相成長用基板及びその加熱方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-225159   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 半導体製造装置及び半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-120009   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-121763   出願人：沖電気工業株式会社
• 薄膜成長装置及びこれを用いた窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-310323   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-194789   出願人：沖電気工業株式会社