特許
J-GLOBAL ID：200903032225346792

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者：
吉江 徹

吉江 徹 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 金倉 喬二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-121763
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303125
出願日： 2005年04月20日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】サファイア基板等を加熱することが必要な工程に用いる半導体製造装置おけるサファイア基板等の反りを抑制する手段を提供する。【解決手段】半導体製造装置が、サファイア基板を加熱するホットプレートと、ホットプレートと所定の間隔を隔てて設置された支持板と、サファイア基板をホットプレートと支持板との間にそれぞれ所定の間隔を隔てて支持すると共にホットプレートとサファイア基板の裏面とが対向するように支持する支持部とを備えた支持台と、この支持台を昇降させる昇降装置と、ホットプレートとサファイア基板との間の空間およびサファイア基板と支持板との間の空間を外部から遮蔽する遮蔽カバーとを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
サファイア基板を加熱するホットプレートと、 前記ホットプレートと所定の間隔を隔てて設置された支持板と、前記サファイア基板を、前記ホットプレートと前記支持板との間にそれぞれ所定の間隔を隔てて支持すると共に、前記ホットプレートと前記サファイア基板の裏面とが対向するように支持する支持部とを備えた支持台と、 該支持台を昇降させる昇降装置と、 前記ホットプレートと前記サファイア基板との間の空間、および前記サファイア基板と前記支持板との間の空間を外部から遮蔽する遮蔽カバーとを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/46
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/46
Fターム (25件)：
4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA03 ,  4K030JA10 ,  4K030KA12 ,  4K030KA23 ,  4K030KA24 ,  4K030LA15 ,  5F045AB02 ,  5F045AE29 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045CA05 ,  5F045CA10 ,  5F045DP02 ,  5F045EB02 ,  5F045EB13 ,  5F045EC01 ,  5F045EK07 ,  5F045EK11 ,  5F045EM06 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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