特許
J-GLOBAL ID:200903011541254258

極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-376713
公開番号(公開出願番号):特開2004-207593
出願日: 2002年12月26日
公開日(公表日): 2004年07月22日
要約:
【課題】EUV露光による転写解像性を向上するために、従来のエキシマレーザ露光等で用いられているハーフトーンマスクの原理を、反射光学系を用いたEUV露光においても適用可能とするEUV露光用マスク、およびそれを作製するためのブランク並びにそのマスクを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】基板3上に、露光光の高反射領域となる多層膜2が形成され、前記多層膜上に低反射領域となる薄膜のパターン1が形成された極限紫外線露光用マスクにおいて、前記低反射領域である薄膜が2層膜からなり、該2層膜は、露光波長において、前記多層膜に対する反射率が5乃至20%であり、2層膜からの反射光と多層膜からの反射光との位相差が175乃至185度であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に、露光光の高反射領域となる多層膜が形成され、前記多層膜上に低反射領域となる薄膜のパターンが形成された極限紫外線露光用マスクにおいて、前記低反射領域である薄膜が2層膜からなり、該2層膜は、露光波長において、前記多層膜に対する反射率が5乃至20%であり、2層膜からの反射光と多層膜からの反射光との位相差が175乃至185度であることを特徴とする極限紫外線露光用マスク。
IPC (2件):
H01L21/027 ,  G03F1/16
FI (2件):
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A
Fターム (8件):
2H095BA01 ,  2H095BA10 ,  2H095BB01 ,  2H095BC24 ,  5F046GD10 ,  5F046GD15 ,  5F046GD16 ,  5F046GD17
引用特許:
審査官引用 (5件)
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