特許
J-GLOBAL ID:200903046898345322

リソグラフィ装置、デバイス製造方法、この方法によって製造されるデバイス、反射器製造方法、この方法によって製造される反射器、位相シフト・マスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅村 皓 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-142416
公開番号(公開出願番号):特開2003-059822
出願日: 2002年05月17日
公開日(公表日): 2003年02月28日
要約:
【要約】【課題】 形状誤差を小さくし、適切な反射率を有する、EUV放射と共に使用可能な改良された反射器を提供する。【解決手段】 EUVのための反射器は、基礎多重積層の表面に追加の多重層を選択的に設けて、基礎多重積層またはこの多重積層が設けられている基板における形状誤差を補償する。EUVのための反射マスクは、2つの多重積層を有する。その一方は、他方に対して相対的な位相シフトおよび/または反射率の変化を生じさせる。
請求項(抜粋):
リソグラフィ投影装置であって:放射の投影ビームを供給する放射システムと、所望のパターンに従って前記投影ビームをパターニングするように機能するパターニング手段を支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、前記パターニングされたビームを前記基板の対象部分に投影する投影システムと、を備え、前記放射システム、前記投影システム、および前記パターニング手段の少なくとも1つが、多重積層を設けた反射器を備え、この多重積層は、複数の基礎周期と、前記反射器の有効領域の一部のみを被覆する少なくとも1つの追加の周期とから成り、前記投影ビームの反射時に、前記反射器の隣接領域に対して位相および/または反射率の局部的な変化を生じさせることを特徴とする装置。
IPC (5件):
H01L 21/027 ,  G02B 5/08 ,  G03F 1/16 ,  G21K 1/06 ,  G21K 5/02
FI (8件):
G02B 5/08 C ,  G03F 1/16 A ,  G21K 1/06 B ,  G21K 1/06 C ,  G21K 1/06 M ,  G21K 5/02 X ,  H01L 21/30 531 A ,  H01L 21/30 531 M
Fターム (11件):
2H042AA25 ,  2H042AA32 ,  2H042DA01 ,  2H042DC03 ,  2H042DC08 ,  2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BC02 ,  2H095BC09 ,  5F046GB01 ,  5F046GD10
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (12件)
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