特許
J-GLOBAL ID：200903011562132322

窒化物半導体レーザ素子

発明者：
佐野 雅彦

佐野 雅彦 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-117685
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312841
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体レーザ素子を高出力で使用するために、レーザ素子の閾値を低下させる。【構成】 第1の主面と第2の主面とを有する窒化物半導体基板の第1の主面上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層、及びp型窒化物半導体層とが順に積層され、p型窒化物半導体層側にp電極が形成され、窒化物半導体基板の第2の主面側にn電極が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子であり、前記p型窒化物半導体層には、p側クラッド層とそのp側クラッド層の上にp側コンタクト層とを有し、さらにp側コンタクト層側から窒化物半導体の一部を除去することにより形成されたストライプ状の導波路領域が形成され、そのストライプの両側面と連続した窒化物半導体の平面が、前記p側クラッド層の膜厚方向において、下端面からp側コンタクト層方向0.2μmよりも基板側にある。
請求項（抜粋）：
第1の主面と第2の主面とを有する窒化物半導体基板の第1の主面上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層、及びp型窒化物半導体層とが順に積層され、p型窒化物半導体層側にp電極が形成され、窒化物半導体基板の第2の主面側にn電極が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記p型窒化物半導体層には、p側クラッド層とそのp側クラッド層の上にp側コンタクト層とを有し、さらにp側コンタクト層側から窒化物半導体の一部を除去することにより形成されたストライプ状の導波路領域が形成され、そのストライプの両側面と連続した窒化物半導体の平面が、前記p側クラッド層の膜厚方向において、下端面からp側コンタクト層方向0.2μmよりも基板側にあることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 窒化物半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-244701   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 特開平3-257887
  • 窒化物半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-095161   出願人：日亜化学工業株式会社
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM