特許
J-GLOBAL ID：200903011582768282

光電変換装置及び光電変換装置を用いた撮像システム

発明者：
成瀬 裕章

成瀬 裕章 について

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岡川 崇

岡川 崇 について

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三島 隆一

三島 隆一 について

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佐藤 信彦

佐藤 信彦 について

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譲原 浩

譲原 浩 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-044011
公開番号（公開出願番号）：特開2008-210870
出願日： 2007年02月23日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】 配線層に銅を用いた場合にも、配線レイアウトの自由度を低下させることなく、光電変換素子への光の入射効率を向上させる。【解決手段】 光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子およびMOSトランジスタと、多層配線構造と、を有し、半導体基板上に配された第1の層間絶縁膜を有する。更に、半導体基板に配された複数の活性領域どうし、複数のMOSトランジスタのゲート電極どうしあるいは、活性領域とMOSトランジスタのゲート電極とを電気的に接続する、第1の層間絶縁膜に配された単一のホールに配された第1のプラグと、第1の層間絶縁膜に配されたホールに配され、活性領域と電気的に接続された第2のプラグと、を有する。そして、第2のプラグと第2のプラグよりも上部に配された配線層とが電気的に接続されており、その配線層はデュアルダマシン構造の一部である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板に配された光電変換素子およびMOSトランジスタと、 層間絶縁膜を介して複数の配線層が積層された多層配線構造と、 を有する光電変換装置において、 前記半導体基板上に配された第1の層間絶縁膜と、 前記半導体基板に配された複数の活性領域どうし、複数の前記MOSトランジスタのゲート電極どうしあるいは前記活性領域と前記MOSトランジスタのゲート電極とを電気的に接続する、前記第1の層間絶縁膜に配された単一のホールに配された第1のプラグと、 前記第1の層間絶縁膜に配されたホールに配され、前記活性領域と電気的に接続された第2のプラグと、を有し、 前記第2のプラグと該第2のプラグよりも上部に配された配線層とが電気的に接続されており、該配線層はデュアルダマシン構造の一部であることを特徴とする光電変換装置。
IPC (5件)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/768 ,  H04N 5/335 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (5件)：
H01L27/14 A ,  H01L21/90 C ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U ,  H01L21/88 R
Fターム (48件)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118DD09 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CX41 ,  5C024DX01 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN12 ,  5F033NN31 ,  5F033NN32 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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