特許
J-GLOBAL ID：200903011593945275

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
小林 知洋

小林 知洋 について

, 
渡辺 武

渡辺 武 について

, 
永田 岳志

永田 岳志 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-268182
公開番号（公開出願番号）：特開2009-145871
出願日： 2008年10月17日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【解決手段】一般式(2)で示されるアミン化合物の1種又は2種以上を含有するレジスト材料。【効果】本発明のレジスト材料は、レジストの膜減り防止に対する効果が高く、解像性とフォーカスマージン拡大効果が高いものである。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(2)で示されるアミン化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とするレジスト材料。
IPC (6件)：
G03F 7/004 ,  C07D 295/08 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  C08F 212/14 ,  H01L 21/027
FI (6件)：
G03F7/004 501 ,  C07D295/08 Z ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  C08F212/14 ,  H01L21/30 502R
Fターム (50件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF11 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02Q ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB15R ,  4J100AJ09Q ,  4J100AJ09R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA05Q ,  4J100BA06Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA16P ,  4J100BA16Q ,  4J100BA20P ,  4J100BA22Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC55R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (16件)
  • 特公平2-27660号公報
  • 特開昭63-27829号公報
  • 米国特許第5,609,989号明細書
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