特許
J-GLOBAL ID：200903047188278525
窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び光ピックアップ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220221
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058915
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、光ディスク等の光ピックアップの光学系に光源として組み込むことが可能な、良好な雑音特性を有する半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 基板上に、窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれ、窒化物半導体からなる活性層を形成した半導体レーザ素子において、前記基板と、基板側に存在するクラッド層との間に、エネルギーギャップが活性層とほぼ同じか、または、活性層よりも小さい半導体からなる光吸収層を設ける。
請求項（抜粋）：
基板上に、窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれ、窒化物半導体からなる活性層を形成した半導体レーザ素子において、前記基板と基板側に存在するクラッド層との間に、エネルギーギャップが活性層とほぼ同じか、または、活性層よりも小さい半導体からなる光吸収層を設けたことを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
5F041AA09
, 5F041AA14
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041FF16
, 5F073AA51
, 5F073AA63
, 5F073AA71
, 5F073BA04
, 5F073CA02
, 5F073CB05
, 5F073EA26
