特許

J-GLOBAL ID：200903011619063373

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 山川 晃司 ,  有隅 修 ,  金井 秀之 ,  稗田 克彦 ,  有門 経敏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246581
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208725
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 酸化物誘電体をキャパシタに用いた半導体装置において、キャパシタ特性の変動や劣化を抑制する電極構造を得る。【解決手段】 キャパシタの上部電極が、誘電体膜15に近い側に形成されたSrRuO3 膜16と、誘電体膜15から遠い側にSrRuO3 とは異なる導電材料を用いて形成された導電膜17とによって構成され、キャパシタの下部電極が、誘電体膜15に近い側に形成されたSrRuO3 膜14と、誘電体膜から遠い側にSrRuO3 とは異なる導電材料を用いて形成された導電膜13bとによって構成されている。

請求項（抜粋）：

上部電極と下部電極との間に酸化物誘電体からなる誘電体膜を挟んで構成されたキャパシタを有する半導体装置であって、前記上部電極が、前記誘電体膜に近い側に形成されたSrRuO3 膜と、前記誘電体膜から遠い側にSrRuO3 とは異なる導電材料を用いて形成された導電膜とによって構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 強誘電体キャパシタ構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-158101   出願人：ソニー株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-032170   出願人：株式会社東芝
• 強誘電体不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-161422   出願人：ソニー株式会社
• ペロブスカイト型酸化物膜を含む電子装置とその製造方法及び強誘電体キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-293698   出願人：富士通株式会社