特許

J-GLOBAL ID：200903011677662562

窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子

発明者： 琵琶 剛志 ,  奥山 浩之 ,  土居 正人 ,  大畑 豊治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-186712
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294867
出願日： 2005年06月27日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】 活性層とその後に積層する窒化物半導体層の成長温度に起因する活性層の劣化等の問題を解決し、発光特性などの素子特性の優れた窒化物半導体素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 基体10上に気相成長した活性層13がInを含む混晶であり、前記活性層13のIn組成率がX(%)とされ、その気相成長後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度T(°C)が(1080-4.27X)以下の温度とすることにより、活性層13中での例えばIn-Nのボンドが切断されることによる窒素空孔の発生やIn金属化などの問題が未然に防止され該活性層の結晶性を良好に保つことできる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基体上に気相成長した活性層がInを含む混晶であり、 前記活性層のIn組成率がX(%)とされ、 その気相成長後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度T(°C)が(1080-4.27X)以下の温度とされる ことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01S5/323

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (13件)：

5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR82 ,  5F173AR96

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-302069   出願人：ソニー株式会社
• 化合物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-068051   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体製造装置および半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-106922   出願人：三菱化学株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-256452   出願人：日亜化学工業株式会社