特許
J-GLOBAL ID：200903065230145911
化合物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068051
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264836
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 高性能の化合物半導体発光素子およびそれを工業的に製造できる方法を提供する。【構成】 GaAs基板1と、基板1上に形成された厚さが10nm〜80nmのGaNからなるバッファ層2と、バッファ層2上に形成された、第1の導電型を有するAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(ただし、0≦x<1)からなるエピタキシャル層3と、バッファ層2とエピタキシャル層3との界面に位置する不整合面8と、エピタキシャル層3上に形成された、MgドープされたIn<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>N(ただし、0<y<1)からなる発光層4と、発光層4上に形成された、第 1の導電型と異なる第2の導電型を有するAl<SB>z </SB>Ga<SB>1-z </SB>N(ただし、0≦z<1)からなるクラッド層5とを含む。バッファ層2は、有機金属クロライド気相エピタキシ成長法により、第1の温度で形成され、エピタキシャル層3は、有機金属クロライド気相エピタキシ成長法により、第1の温度より高い第2の温度で形成される。
請求項（抜粋）：
GaAs、GaP、InAsおよびInPからなる群から選ばれる化合物半導体基板と、前記基板上に形成された、厚さが10nm〜80nmのGaNからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、第1の導電型を有するAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(ただし、0≦x<1)からなるエピタキシャル層と、前記バッファ層と前記エピタキシャル層との界面に位置する不整合面と、前記エピタキシャル層上に形成された、MgドープされたIn<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>N(ただし、0<y<1)からなる発光層と、前記発光層上に形成された、前記第1の導電型と異なる第2の導電型を有するAl<SB>z </SB>Ga<SB>1-z </SB>N(ただし、0≦z<1)からなるクラッド層とを含む、化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
