特許
J-GLOBAL ID：200903082799681830
半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-302069
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144612
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 GaInN層などのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度でInを含まない別の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる必要がある場合に、そのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の劣化を防止することができる半導体の成長方法を提供する。【解決手段】 GaN系半導体レーザの製造において、GaInN活性層26上にその成長温度よりも高い成長温度で成長させる必要があるp型AlGaNクラッド層29およびp型GaNコンタクト層30の成長温度を、GaInN活性層26の成長温度以上980°C以下、例えば930〜960°Cとする。好ましくは、p型AlGaNクラッド層29の成長前に、GaInN活性層26の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度で成長させたp型AlGaNキャップ層28により下地表面を覆っておく。
請求項（抜粋）：
Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にInを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を気相成長させるようにした半導体の成長方法において、上記Inを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層の成長温度を、上記Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の成長温度以上980°C以下にすることを特徴とする半導体の成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
, H01S 3/18
H01L 21/205
, H01L 21/203 M
, H01S 3/18
