特許
J-GLOBAL ID：200903011774915874

半導体装置及びその製造方法

発明者：
榎本 容幸

榎本 容幸 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-043896
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253688
出願日： 2003年02月21日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】配線材料にCuを用いて、幅広配線と微細配線をコンタクトホールで導通させる場合に、Cuの消失によって配線不良を招く恐れがある。【解決手段】第1の埋め込み配線105の上層に第2の埋め込み配線を形成する過程で、第1の埋め込み配線105上に開孔径の異なるコンタクトホール108とダミーホール109を形成する。このとき、ダミーホール109をコンタクトホール109よりも大きな開孔径で形成することにより、エッチングレートの違いを利用してダミーホール109の底部でのみ第1の埋め込み配線105の表面を露出させ、この露出部分にエッチングダメージを与えることにより、コンタクトホール108の底部で配線材料との密着性を相対的に上げる一方、ダミーホール109の底部で配線材料との密着性を相対的に下げる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1の埋め込み配線と、 前記第1の埋め込み配線と異なる層に形成された第2の埋め込み配線と、 前記第1の埋め込み配線と前記第2の埋め込み配線とを導通させるために前記第1の埋め込み配線と前記第2の埋め込み配線との間に形成されるとともに、孔内に配線材料が埋め込まれたコンタクトホールと、 前記コンタクトホールの近傍で前記コンタクトホールと異なる開孔径をもって前記第1の埋め込み配線に連通するように形成されるとともに、孔内に配線材料が埋め込まれたダミーホールと を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L21/768 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205
FI (3件)：
H01L21/90 A ,  H01L21/88 S ,  H01L21/302 105A
Fターム (40件)：
5F004AA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004EA21 ,  5F004EA32 ,  5F004EB01 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN08 ,  5F033NN09 ,  5F033NN34 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033VV01 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX04 ,  5F033XX06 ,  5F033XX09 ,  5F033XX13 ,  5F033XX28
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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