特許
J-GLOBAL ID：200903055368678648
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053428
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246651
出願日： 1996年03月11日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子のしきい値電流を下げて室温での連続発振を目指す。【構成】 基板上部に形成された活性層と、活性層上に形成されたリッジ形状のストライプを有する第1のp型クラッド層とを有し、その第1のp型クラッド層のストライプ側面に、活性層および第1のp型クラッド層よりも屈折率の小さい窒化物半導体よりなる埋め込み層が形成されているので、実効屈折率導波型のレーザ素子ができるため、閾値電流が下がり、さらに単一モードのレーザ光が得られる。
請求項（抜粋）：
基板上部に形成された活性層と、活性層上に形成されたリッジ形状のストライプを有する第1のp型クラッド層とを有し、その第1のp型クラッド層のストライプ側面に、活性層および第1のp型クラッド層よりも屈折率の小さい窒化物半導体よりなる埋め込み層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
引用特許：
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