特許
J-GLOBAL ID：200903011823808124
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079340
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277867
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】GaInNAs半導体レーザにおけるGaInNAs井戸層のN組成の最適値は、歪量と相分離のトレードオフの関係により、N組成の3%以下の領域であると考えられる。しかしながら、本領域では、GaInNAs井戸層の歪量は大きい。これにより、長期的には、転位の発生、相分離の誘起等がおこり、GaInNAs半導体レーザの信頼性を確保することが困難である。【解決手段】 本願発明は、ガリウム砒素化合物半導体基板の上部に、第1のクラッド層と、発光活性層と、第2のクラッド層とを少なくとも有する光共振器を有し、当該活性層は量子井戸構造を有し、前記量子井戸構造は少なくとも一対の障壁層と井戸層を有し、前記井戸層が窒素(N)の含有量が3%以下のGaInNAsを用い、障壁層は、GaAsに対してマイナス(-)歪みを有するIII-V族化合物半導体材料が用いた半導体レーザ装置である。更に、活性層に用いられる井戸層と障壁層とのエネルギー差が、伝導帯において300meV以上、価電子帯において50meV以上200meV以下となすことが望ましい。
請求項（抜粋）：
ガリウム砒素基板の上部に、化合物半導体材料よりなる第1のクラッド層と発光の為の活性層と第2のクラッド層とを少なくとも有する光共振器を有し、当該活性層は量子井戸構造を有し、前記量子井戸構造は少なくとも一対の障壁層と井戸層とを有し、前記井戸層が窒素の含有量が3%以下のGaInNAsであり、且つ前記障壁層は前記ガリウム砒素基板に対してマイナスの歪を有するごとく設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (9件)：
5F073AA04
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA17
, 5F073DA05
, 5F073DA27
, 5F073EA23
, 5F073EA28
