特許
J-GLOBAL ID：200903011825931160

位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク

発明者：
深崎 正号

深崎 正号 について

, 
大久保 靖

大久保 靖 について


出願人/特許権者：
ホーヤ株式会社

ホーヤ株式会社 について


代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-252963
公開番号（公開出願番号）：特開平9-096898
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】 酸素、モリブデン及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成した光半透過膜のエッチング加工性、パターンエッジ形状を良好にし、内部応力を小さくする。【解決手段】 ハーフトーン形位相シフトマスクの光半透過部を、酸素、モリブデン(Mo)及びシリコン(Si)を主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成する。このとき、薄膜中のモリブデンシリサイド(MoSi)の含有量を50原子%以下、好ましくは25原子%以下にする。これにより、非晶質のMo-O、Si-O、Si-O-N等が多く含まれるようにして、薄膜全体がモリブデンシリサイドとなるのを防ぐ。
請求項（抜粋）：
微細パターン露光を施すためのマスクであって、透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する光の位相をシフトさせて該光半透過部を通過した光の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにした位相シフトマスクであって、前記光半透過部を、酸素、金属及びシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成し、該薄膜を構成する物質のうち、構成要素たる金属とシリコンとが結合した金属シリサイド含有量が50原子%以下であることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 1/16 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
引用特許：
審査官引用 (4件)
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