特許
J-GLOBAL ID：200903045845216834

半導体レーザ

発明者：
中村 隆宏

中村 隆宏 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231843
公開番号（公開出願番号）：特開平10-075010
出願日： 1996年09月02日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザを高温環境下で高効率で動作可能とするため、活性層内のキャリア増加による内部損失の増加を抑え、活性層からのキャリアオーバーフローによる内部量子効率の減少を抑制する。【解決手段】 活性層と、該活性層を上下から挟むSCH層を有する半導体レーザにおいて、SCH層を2層以上の多層構造とし、かつ、該多層構造を、前記活性層から遠ざかるにつれてバンドギャップが大きくなる構造とする。
請求項（抜粋）：
活性層と、該活性層を上下から挟むp型SCH層およびn型SCH層を有する半導体レーザにおいて、n型SCH層が2層以上の多層構造からなり、かつ、該多層構造が、前記活性層から遠ざかるにつれてバンドギャップが大きくなる構造であることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
審査官引用 (5件)
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