特許
J-GLOBAL ID：200903011975598338

磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法

発明者：
佐野 正志

佐野 正志 について

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荒木 悟

荒木 悟 について

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土屋 芳弘

土屋 芳弘 について

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上杉 卓己

上杉 卓己 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-218322
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033533
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 熱安定性が良好で、かつ、大きな交換結合磁界が得られる磁気変換素子および薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 MR素子は、下地層21,結晶成長抑制層22,第1軟磁性層23、第2軟磁性層24,非磁性層25,強磁性層26,反強磁性層27および保護層28を順次積層してなる積層体20を有している。強磁性層26は、非磁性層25の側から、強磁性内側層26a,結合層26bおよび強磁性外側層26cを有している。結晶成長抑制層22は、その上に形成される層の結晶成長を抑制することにより、強磁性内側層26aの平均面内粒径を3nm〜8nmとし、これにより結合層26bの界面を平坦化するようになっている。
請求項（抜粋）：
一対の対向する面を有する非磁性層と、この非磁性層の一方の面側に形成された軟磁性層と、前記非磁性層の他方の面側に形成された強磁性層と、この強磁性層の前記非磁性層と反対の側に形成された反強磁性層とを含む積層体を備えると共に、前記強磁性層が、前記非磁性層に近い側から、強磁性内側層と、結合層と、強磁性外側層とを有している磁気変換素子であって、前記強磁性内側層の結合層側界面および前記強磁性外側層の結合層側界面のうちの少なくとも一方の平均結晶粒径が3nm以上8nm以下であることを特徴とする磁気変換素子。
IPC (8件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/14 ,  H01L 43/12
FI (8件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/14 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
Fターム (24件)：
2G017AB05 ,  2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BB08 ,  5D034BB12 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049DB12 ,  5E049DB20 ,  5E049FC08 ,  5E049GC01 ,  5E049HC01 ,  5E049JC05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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