100ナノメーター未満の直径とアスペクト比が1を越えるように発達させた無機質微細ロッドおよび前記ロッドの製造方法。

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮本晴視
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238618
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064794
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：

【要約】【目的】偏光の照射または偏光の照射と空間電位勾配との組み合わせにより、無機質微粒子のプラズマ励起により方位異方的に前記微粒子を結合乃至伸張して、100ナノメーター未満の直径とアスペクト比が1を越えるまで発達させた微細ロッドを提供すること。【構成】可視光乃至近赤外光領域の偏光の入射により前記偏光に関連したプラマ振動を誘起される無機質微粒子を個体表面上に担持させたものを、誘電体媒質中に配置し、前記偏光を照射して前記固体表面で前記微粒子を前記プラズマ振動励起に対応して線状に結合させ乃至誘電体媒質中の無機イオンを析出伸張させることによって前記無機質からなる10ナノメーター未満の直径とアスペクト比が1を越えるまで発達させた微細ロッドを前記固体表面に形成する方法、および前記偏光の照射と空間電位勾配との組み合わせた前記微細ロッドの形成方法。

請求項（抜粋）：

偏光の入射により前記偏光に関連したプラマ振動誘起(プラズモン励起)される無機質微粒子を個体表面上に担持させたものを、誘電体媒質中に配置し、前記偏光を照射して前記固体表面で前記微粒子を前記プラズマ振動励起に対応して線状に結合させ乃至誘電体媒質中の無機イオンを析出伸張させることによって得られた前記無機質からなる100ナノメーター未満の直径とアスペクト比が1を越えるまで発達させた微細ロッド。

IPC (4件)：

C25D 3/02 , C23C 18/14 , H01L 21/288 , H01L 21/3205

FI (4件)：

C25D 3/02 , C23C 18/14 , H01L 21/288 Z , H01L 21/88 B

Fターム (41件)：

4K022AA02 , 4K022AA05 , 4K022BA01 , 4K022BA03 , 4K022BA06 , 4K022BA08 , 4K022BA09 , 4K022BA14 , 4K022BA18 , 4K022BA31 , 4K022CA28 , 4K022DA08 , 4K022DB12 , 4K022DB30 , 4K023AA04 , 4K023AA12 , 4K023AA13 , 4K023AA14 , 4K023AA19 , 4K023AA24 , 4K023AA25 , 4K023AA26 , 4K023AA27 , 4K023AA28 , 4K023AA29 , 4K023BA06 , 4K023BA08 , 4K023BA11 , 4K023BA13 , 4K023DA07 , 4K023DA11 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104DD31 , 5F033PP00 , 5F033WW01

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭64-017847
特開昭61-050633
高密度磁気記録媒体作製法およびこれによる高密度磁気記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-131912 出願人：株式会社日立製作所

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