特許
J-GLOBAL ID：200903016909862441
半導体装置及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-328021
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183405
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜を薄膜化しても膜質に優れ、かつ書込及び消去の動作を行っても絶縁膜の劣化が少ない半導体装置及びその形成方法を提供する。【構成】 第1及び第2不純物拡散層12、14が設けられた半導体基板10と、この半導体基板上に第1及び第2不純物拡散層の上面の一部分間にわたって絶縁膜16とその上側の導電層18aを有する電極部23とを具えた半導体装置において、絶縁膜と第1及び第2不純物拡散層との境界近傍に窒素注入領域24、26を具えている。
請求項（抜粋）：
第1及び第2不純物拡散層が設けられた半導体基板と、該半導体基板上であって前記第1及び第2不純物拡散層の対向端側の上面の一部分間にわたって設けられ、かつ少なくとも絶縁膜及びその上側の導電層を有する電極部とを少なくとも具える半導体装置において、前記絶縁膜と前記第1及び第2不純物拡散層との境界近傍に窒素注入領域を具えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
