特許
J-GLOBAL ID：200903012025577152

窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
庄野 博文

庄野 博文 について

, 
豊田 達憲

豊田 達憲 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-036300
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135785
出願日： 2008年02月18日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：
【課題】 分割端面の平滑性に優れ歩留まりの優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、レーザー照射により、前記半導体ウエハー表面に溝部と、該溝部を介して該溝部より前記半導体ウエハー内部側に加工変質部と、を形成することによりブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、 レーザー照射により、前記半導体ウエハー表面に溝部と、 該溝部を介して該溝部より前記半導体ウエハー内部側に加工変質部と、を形成することによりブレイク・ラインを形成する工程と、 前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/42 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/301
FI (8件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  B23K26/42 ,  B23K26/00 H ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 V
Fターム (15件)：
4E068AA04 ,  4E068AE00 ,  4E068CA01 ,  4E068DA10 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP93 ,  5F173AQ05 ,  5F173AR92
引用特許：
審査官引用 (5件)
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