半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにIII-V族化合物半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-083427
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284280
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】従来よりもZnを容易に拡散することができ、プロセス工程が簡略され、端面に対する電流の注入を効果的にブロックすることもできる半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにIII-V族化合物半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ウェーハの表面にZnなどのドーパントを高濃度に含んだIII-V族化合物半導体層を設け、この層からドーパントを固相拡散させることにより、端面出射領域の活性層を無秩序化して窓領域を形成できる。このようにすることにより、ドーパントの拡散量の制御を従来よりもはるかに精密に行うことができるようになる。さらに、本発明においては、ヘテロ障壁による電流阻止構造をこの窓領域の上部に形成することにより、高性能の端面非注入型の窓構造レーザを実現することができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の化合物半導体基板と、第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型のクラッド層と、前記第2導電型のクラッド層より小さいバンドギャップを有する第2導電型のコンタクト層と、前記第2導電型のクラッド層よりもバンドギャップが小さく前記第2導電型のコンタクト層よりもバンドギャップが大きい第2導電型の通電容易層と、を備え、端面からレーザ光を放出する半導体レーザ装置であって、前記端面およびその近傍においては、前記第2導電型のクラッド層と前記コンタクト層とが隣接して積層され、且つ前記第2導電型のクラッド層と前記コンタクト層との界面におけるヘテロ障壁により電流が抑制されるものとして構成され、前記端面近傍以外の部分においては、前記第2導電型のクラッド層と前記コンタクト層との間に、前記通電容易層が介在してなることにより通電が促進されるものとして構成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平3-283677
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-031398 出願人：日本電気株式会社
特開平4-287995

全件表示

前のページに戻る