特許
J-GLOBAL ID:200903012093768640

磁気センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-199280
公開番号(公開出願番号):特開2005-039010
出願日: 2003年07月18日
公開日(公表日): 2005年02月10日
要約:
【課題】耐環境性に優れる磁気センサを提供する。【解決手段】基板11上にスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子12が配され、磁気抵抗効果素子12の両端部には永久磁石膜からなるバイアス磁石層14がそれぞれ接続されており、磁気抵抗効果素子12およびバイアス磁石層14の上面14aを被覆するように保護膜17が設けられた磁気センサ10において、磁気抵抗効果素子12の両端部の下面12aが、バイアス磁石層14の上面14aの略全域を覆うように、磁気抵抗効果素子12を設ける。バイアス磁石層14の周縁部において、保護膜17側から磁気抵抗効果素子12を見たとき、磁気抵抗効果素子12の両端部の側面と、バイアス磁石層14の側面との間隔が3μmを超えないようにする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上にスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子が配され、該磁気抵抗効果素子の両端部には永久磁石膜からなるバイアス磁石層がそれぞれ接続されており、該磁気抵抗効果素子および該バイアス磁石層の上面を被覆するように保護膜が設けられた磁気センサにおいて、 前記磁気抵抗効果素子の両端部の下面が、前記バイアス磁石層の上面の略全域を覆っていることを特徴とする磁気センサ。
IPC (3件):
H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  H01L43/02
FI (4件):
H01L43/08 P ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/02 Z ,  G01R33/06 R
Fターム (2件):
2G017AD55 ,  2G017AD65
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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