特許
J-GLOBAL ID：200903074214457023
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-282276
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092439
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：
【要約】【課題】 バイアス印加膜を有する膜面垂直通電型の磁気抵抗効果素子において、高密度で高感度の磁気検出を可能とし、かつ所望の実効トラック幅を得ることを目的とする。【解決手段】 磁気抵抗効果膜(3)と、磁気抵抗効果膜(3)の膜面に対して略垂直な方向に電流を通電する一対の電極(2a、2b)と、磁気抵抗効果膜(3)の膜面に対して略平行な方向にバイアス磁界を印加する一対のバイアス印加膜(4、4)とを備え、磁気抵抗効果膜と電極とが接するトラック幅方向の幅をL1、電極と前記バイアス印加膜の向き合った端部間の距離をL2、磁気抵抗効果膜の媒体対向面側の端部とほぼ平行な電極の端部との距離をL3としたとき、L1×0.2<L2<L1×2かつ0<L3<0.1μmの関係を満たす磁気抵抗効果素子。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向に電流を通電する一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略平行な方向にバイアス磁界を印加する一対のバイアス印加膜とを備え、前記磁気抵抗効果膜と前記電極とが接するトラック幅方向の幅をL1、前記電極と前記バイアス印加膜の向き合った端部間の距離をL2、前記磁気抵抗効果膜の媒体対向面側の端部とほぼ平行な前記電極の端部との距離をL3としたとき、L1×0.2<L2<L1×2かつ0<L3<0.1μmであることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 B
, G11B 5/39
, G01R 33/06 R
2G017AA10
, 2G017AD55
, 5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA06
, 5D034BA08
, 5D034BA12
, 5D034CA04
, 5D034CA08
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)
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