縦方向バイアス構造体およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三反崎泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-025235
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324307
出願日： 2002年02月01日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】高飽和磁化、高角型比、高保磁力および熱安定性を確保可能な縦方向バイアス構造体を提供する。【解決手段】クロムよりなるシード層B24と、コバルト,クロムおよび白金を含む合金よりなる硬質磁性層25との間に、クロムの格子定数とコバルト,クロムおよび白金を含む合金の格子定数との間の格子定数を有する材料、例えばコバルト,クロムおよびタンタルを含む合金よりなるバッファ層26を挿入する。このバッファ層26の存在により、シード層B24と硬質磁性層25との間で結晶学的整合性が確保されるため、硬質磁性層25の結晶方位が適正化される。これにより、高飽和磁化、高角型比、高保磁力および熱安定性が確保される。

請求項（抜粋）：

磁気再生ヘッドに搭載され、巨大磁気抵抗効果を生じさせるために必要な縦方向の磁気バイアスを供給する縦方向バイアス構造体であって、基体に、クロム(Cr)よりなるシード層と、1.0nm以上10.0nm以下の厚みをなし、コバルト(Co)、クロムおよびタンタル(Ta)を含む合金よりなるバッファ層と、コバルト、クロムおよび白金(Pt)を含む合金よりなる硬質磁性層とがこの順に積層されてなる積層体を備えたことを特徴とする縦方向バイアス構造体。

IPC (7件)：

G11B 5/39 , G01R 33/09 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01F 41/32 , H01L 43/08 , H01L 43/12

FI (8件)：

G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01F 41/32 , H01L 43/08 B , H01L 43/08 Z , H01L 43/12 , G01R 33/06 R

Fターム (11件)：

2G017AA01 , 2G017AC01 , 2G017AC09 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA12 , 5D034CA08 , 5E049AA04 , 5E049BA12 , 5E049CB01

引用特許：

審査官引用 (8件)

スピンバルブ型薄膜素子およびそのスピンバルブ型薄膜素子を備えた薄膜磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-019121 出願人：アルプス電気株式会社
面内磁気記録媒体およびそれを用いた磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-188511 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-197018

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