クラスターツール装置及び成膜方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160800
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354514
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】洗浄乾燥後の汚染物を除去して、成膜面の清浄度を高めて品質の良好な成膜を行うことができるクラスターツール装置及び成膜方法を提案する。【解決手段】被処理体Wを洗浄し、洗浄前に被処理体Wの表面に付着している汚染及び不要な膜を除去し、被処理体Wを乾燥させる洗浄乾燥室2と、洗浄乾燥室2において洗浄中及び乾燥中に被処理体Wの表面に吸着した有機物を含む汚染物を除去する除去処理室10と、除去処理室10で有機物が除去された被処理体Wの表面に成膜処理を施す成膜処理室7,8,9と、除去処理室10と成膜処理室7,8,9とに共通に連通されかつ遮断可能に連結され、被処理体Wの搬入及び搬出を行う共通搬送室4とを備えたクラスターツール装置1を構成する。

請求項（抜粋）：

被処理体を洗浄し、洗浄前に該被処理体の表面に付着している汚染及び不要な膜を除去し、該被処理体を乾燥させる洗浄乾燥室と、前記洗浄乾燥室において洗浄中及び乾燥中に前記被処理体の表面に吸着した有機物を含む汚染物を除去する除去処理室と、前記除去処理室で有機物が除去された前記被処理体の表面に成膜処理を施す成膜処理室と、前記除去処理室と前記成膜処理室とに共通に連通されかつ遮断可能に連結され、前記被処理体の搬入及び搬出を行う共通搬送室とを備えたことを特徴とするクラスターツール装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , H01L 21/205 , H01L 21/304 645

FI (3件)：

H01L 21/31 B , H01L 21/205 , H01L 21/304 645 D

引用特許：

審査官引用 (8件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-309922 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-309555 出願人：日本電池株式会社
半導体基板の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-308664 出願人：日本エー・エス・エム株式会社

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