スパッタ装置とその装置を用いた半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-279693
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124857
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 Tiターゲットが窒化されるのを防止してスパッタ速度の低下を防止する。【構成】真空室1の上部にマグネトロンスパッタ電極2を設置し、裏板3を介してTiターゲット4を保持させる。真空室1の下部に設けられた基板ホルダー8上に基板9を搭載する。基板9とターゲット4との間に垂直方向のスパッタ粒子のみを透過させるコリメート板6を設け、その外側に防着シールド板5、7を設ける。ターゲット側の防着シールド板5は波形に加工されて表面積が増加されており、より多くの窒素を吸着できるようになされている。

請求項（抜粋）：

真空容器と、前記真空容器の一方の側に配置されたターゲット保持部材と、前記真空容器の他方の側に設置された基板ホルダーと、前記ターゲット保持部材と前記基板ホルダーとの間に設置され、前記基板ホルダー上に装着された基板の法線方向に近い方向に進行するスパッタ粒子のみを通過させるフィルタと、前記フィルタの前記基板ホルダー側に配置され、前記フィルタの外周部を覆う第1の防着シールド板と、前記フィルタの前記ターゲット保持部材側に配置され、前記フィルタの外周部を覆う第2の防着シールド板と、を備えるTiN膜成膜用のスパッタ装置において、前記第2の防着シールド板には実効表面積が増加する加工が加えられていることを特徴とするスパッタ装置。

IPC (3件)：

H01L 21/203 , C23C 14/34 , C23C 14/35

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-224081 出願人：三菱電機株式会社
スパツタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-224506 出願人：富士通株式会社
特開平3-087357

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