特許
J-GLOBAL ID：200903012294832479

不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造、不揮発性半導体メモリ装置、同装置のメモリセルアレイアクセス方法、NANDフラッシュメモリ装置及び半導体メモリ

発明者：
李 承 宰

李 承 宰 について

, 
林 瀛 湖

林 瀛 湖 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-377728
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373497
出願日： 2001年12月11日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】 高速のランダムアクセス及び少数のデータをアクセスする際により速くデータを読み取ることができる不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造を提供すること。【解決手段】 複数のNANDセルストリングからなるメインメモリセルアレイを備えた不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造において、プログラム及び消去動作では前記メインメモリセルアレイのメインビットラインと動作的に連結され、リード動作では前記メインビットラインと電気的に遮断されて前記メインメモリセルアレイのリードパスとは別途のリードパスをなし、前記メインメモリセルアレイのNANDセルストリングがもつメモリセルトランジスタの個数よりも少ない個数からなるNANDセルストリングを複数もつサブメモリセルアレイを具備する。
請求項（抜粋）：
複数のNANDセルストリングからなるメインメモリセルアレイを備えた不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造において、プログラム及び消去動作では前記メインメモリセルアレイのメインビットラインと動作的に連結され、リード動作では前記メインビットラインと電気的に遮断されて前記メインメモリセルアレイのリードパスとは別途のリードパスをなし、前記メインメモリセルアレイのNANDセルストリングがもつメモリセルトランジスタの個数よりも少ない個数からなるNANDセルストリングを複数もつサブメモリセルアレイを具備したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造。
IPC (3件)：
G11C 16/04 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/06
FI (9件)：
G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 601 E ,  G11C 17/00 636 B ,  G11C 17/00 636 A ,  G11C 17/00 634 A ,  G11C 17/00 633 Z ,  G11C 17/00 611 Z ,  G11C 17/00 612 Z ,  G11C 17/00 613
Fターム (10件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD06 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AE05
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM