特許
J-GLOBAL ID：200903012303704020

有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法

発明者：
東海林 弘

東海林 弘 について

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長崎 義和

長崎 義和 について

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渋谷 忠夫

渋谷 忠夫 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-363771
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170666
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】 定電流駆動による電圧上昇が極めて小さいとともに、耐熱性に優れた長寿命の有機EL素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 陽極層と陰極層との両電極層間に、少なくとも発光層を含む有機層を挟持した有機エレクトロルミネッセンス素子において、陽極層の表面を誘導結合型RFプラズマ支援マグネトロンスパッタ装置により逆スパッタ処理して、XPSによって測定される陽極層の表面におけるIn原子の3d5/2軌道に由来するスペクトルピークの半値幅〔In3d5/2〕hと、陽極層の内部におけるIn原子の3d5/2軌道に由来するスペクトルピークの半値幅〔In3d5/2〕nとの比率(〔In3d5/2〕h/〔In3d5/2〕n)を0.9〜1.2の範囲内の値とする。
請求項（抜粋）：
陽極層と陰極層との両電極層間に、少なくとも発光層を含む有機層を挟持した有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記陽極層の表面におけるX線光電子分光法によって測定されるIn原子の3d5/2軌道に由来するスペクトルピークの半値幅を〔In3d5/2〕hとし、陽極層の内部におけるIn原子の3d5/2軌道に由来するスペクトルピークの半値幅を〔In3d5/2〕nとしたときに、当該半値幅の比率(〔In3d5/2〕h/〔In3d5/2〕n)を0.9〜1.2の範囲内の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (4件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26
FI (4件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z ,  H05B 33/26 Z
Fターム (10件)：
3K007AB03 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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