半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-088641
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282426
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】マスクを効率的に作成し半導体装置の露光工程を効率的に行う。【解決手段】同一のマスクM1のマスク基板1の第1主面に2つの転写領域A1,B1を設ける。この転写領域A1,B1には、半導体装置の異なる露光工程のパターンが配置されている。また、マスク基板1には、その転写領域A1,B1の露光工程名や位置座標等のような情報が記されたパターン情報領域AIA,BIAが配置されている。露光処理に際しては、マスクM1のパターン情報領域AIA,BIAの情報に従ってマスクM1の転写領域A1,B1のいずれか一方を選択し、半導体ウエハの主面上のフォトレジスト膜に繰り返し露光する。

請求項（抜粋）：

以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;(a)半導体装置の製造工程における異なる露光工程用のパターンが同一のマスク基板の異なる領域に配置されたマスクを用意する工程、(b)前記異なる領域のうちの露光を行うパターンが配置された領域を、前記異なる領域の各々のパターンの情報を読み出すことで選択し、半導体ウエハの主面のフォトレジスト膜に縮小投影露光によって転写する工程。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521

FI (4件)：

G03F 1/08 R , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 G , H01L 21/30 502 P

Fターム (8件)：

2H095BB01 , 2H095BB02 , 2H095BB03 , 5F046AA25 , 5F046BA04 , 5F046CB17 , 5F046DA30 , 5F046DD03

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-304453
特開昭61-283125
投影露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-055246 出願人：株式会社ニコン

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