特許
J-GLOBAL ID：200903012322917442

光電変換素子及びその製造方法

発明者：
丸山 英治

丸山 英治 について

, 
木下 敏宏

木下 敏宏 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-100275
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294812
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【目的】 発光強度の向上した発光素子を提供する。【構成】 表面に凹凸面2Aが形成された第一電極層2と、光電変換層3と、第二電極層4とを有する光電変換素子であって、前記第一電極層2における前記凹凸面2Aは、表面に凹凸が形成された凹凸層22の表面形状に基づいて形成され、前記凹凸層22の下地に、該凹凸層よりもエッチングされにくい材料からなる下地層21を備えている。
請求項（抜粋）：
表面に凹凸面が形成された第一電極層と、光電変換層と、第二電極層とを有する光電変換素子であって、前記第一電極層は、表面に凹凸が形成された凹凸層を有し、該凹凸層の下地に、該凹凸層よりもエッチングされにくい材料からなる下地層を備えることを特徴とする光電変換素子。
Fターム (10件)：
5F051AA05 ,  5F051BA15 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19
引用特許：
審査官引用 (13件)
  • 光起電力素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-345135   出願人：キヤノン株式会社
  • 太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-158816   出願人：キヤノン株式会社
  • 半導体太陽電池の製造方法及びその半導体太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-344957   出願人：キヤノン株式会社
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