特許
J-GLOBAL ID:200903012415817375
薄膜電子部品用基板及びそれを用いた薄膜電子部品並びにそれらの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
岡田 賢治
, 今下 勝博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-312356
公開番号(公開出願番号):特開2007-123468
出願日: 2005年10月27日
公開日(公表日): 2007年05月17日
要約:
【課題】本発明の目的は、数nm〜数μmの膜厚の薄膜を成膜する高精度の薄膜デバイス製造技術を適用しうる、高精度の平滑性を有するセラミックス多結晶基板やガラスセラミックス基板及び該基板の上に受動素子を形成した薄膜電子部品並びにそれらの製造方法を提供することである。【解決手段】本発明に係る薄膜電子部品用基板は、板状のセラミックス多結晶体若しくはガラスセラミックス体の少なくとも片面に、金属酸化物薄膜からなるコーティング層を設け、金属酸化物薄膜の膜厚を0.1μm以上20μm以下とし、且つ表面粗さRaを0.5nm以上20nm以下としたことを特徴とする。この高精度の平滑性を有する基板上に薄膜電子部品をPVD法等の薄膜デバイス製造技術を適用して形成する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
板状のセラミックス多結晶体若しくはガラスセラミックス体の少なくとも片面にコーティング層を設けた基板において、
前記コーティング層は金属酸化物薄膜からなり、該金属酸化物薄膜の膜厚を0.1μm以上20μm以下とし、且つ表面粗さRaを0.5nm以上20nm以下としたことを特徴とする薄膜電子部品用基板。
IPC (5件):
H05K 1/16
, H01G 4/33
, C03C 17/25
, C04B 41/87
, H05K 1/02
FI (5件):
H05K1/16 D
, H01G4/06 102
, C03C17/25 Z
, C04B41/87 B
, H05K1/02 A
Fターム (37件):
4E351AA07
, 4E351AA19
, 4E351BB03
, 4E351BB23
, 4E351BB24
, 4E351BB32
, 4E351CC01
, 4E351DD01
, 4E351DD41
, 4E351GG01
, 4G059AA08
, 4G059AA15
, 4G059AB03
, 4G059AC03
, 4G059EA05
, 4G059EB05
, 5E082AB01
, 5E082BB07
, 5E082BC14
, 5E082DD11
, 5E082EE05
, 5E082EE23
, 5E082FF05
, 5E082FG03
, 5E082FG46
, 5E082MM22
, 5E082MM23
, 5E082MM24
, 5E338AA01
, 5E338AA18
, 5E338BB63
, 5E338BB75
, 5E338CC01
, 5E338CD32
, 5E338EE21
, 5E338EE30
, 5E338EE33
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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特開昭61-145856
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セラミツク基板とその製造方法並びにこの基板を用いたセラミツク配線板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-285275
出願人:富士通株式会社, 株式会社富士通東北エレクトロニクス
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特開昭60-127282
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特開平3-205890
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特開平3-205890
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グレーズド基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-013505
出願人:三菱マテリアル株式会社
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特開昭60-127282
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