特許
J-GLOBAL ID:200903012431986306
レーザ装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
稲垣 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-132614
公開番号(公開出願番号):特開2004-349692
出願日: 2004年04月28日
公開日(公表日): 2004年12月09日
要約:
【課題】 波長選択型の波長可変レーザ装置に含まれるDFBレーザ(又はDBRレーザ)の個数を10以上、装置の光出力強度を20mW以上にし、且つ、出力光のスペクトル線幅を10MHz以下に抑える。【解決手段】 レーザ装置10は、12個のDFBレーザ11と、DFBレーザ11の出力光を合流する光合流器(MMIカプラ)13と、光合流器13の出力光を増幅する半導体光増幅器(SOA)14とを有する。SOA14の信号利得を16dB以下に抑えることにより、20mW以上の高い光出力強度が得られるレーザ装置の光出力についても、スペクトル線幅の狭線幅化を達成できる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
複数の波長選択機能を有するレーザと、該複数の波長選択機能を有するレーザの出力光を合流する光合流器と、該光合流器の出力光を増幅する半導体光増幅器(SOA)とを備え、前記波長選択機能を有するレーザの少なくとも1つを駆動して出力する型式のレーザ装置において、
前記光合流器と前記波長選択機能を有するレーザとを結合する結合ポート数Nが10以上であり、
前記SOAの光出力強度が20mW以上で且つ信号利得が16dB以下であることを特徴とするレーザ装置。
IPC (3件):
H01S3/10
, H01S5/12
, H01S5/343
FI (3件):
H01S3/10 Z
, H01S5/12
, H01S5/343
Fターム (11件):
5F172AE26
, 5F172BB32
, 5F172BB33
, 5F172NN23
, 5F172NN24
, 5F172NN25
, 5F172NR28
, 5F173AB13
, 5F173AF25
, 5F173AH07
, 5F173AR14
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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半導体光増幅器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-345876
出願人:日本電信電話株式会社
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光増幅装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-178590
出願人:日本電信電話株式会社
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半導体レーザアレイ及び半導体レーザアレイモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-189470
出願人:株式会社日立製作所
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光送信器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-288075
出願人:日本電気株式会社
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分布帰還型半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-020598
出願人:日本電気株式会社
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分布帰還型半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-015953
出願人:日本電信電話株式会社
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-328859
出願人:日本電気株式会社
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光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-268331
出願人:富士通株式会社
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特開平2-090688
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引用文献:
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