特許
J-GLOBAL ID：200903012519706974
不揮発性半導体記憶装置及びデータ読み書き方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-205141
公開番号（公開出願番号）：特開2006-031755
出願日： 2004年07月12日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】データの書き込み時間を低減することができる不揮発性半導体記憶装置及びデータ読み書き方法を提供すること【解決手段】不揮発性半導体記憶装置10は、メモリセルアレイ20と、シフト値SFTを格納するシフト値格納領域25と、メモリセルアレイ20及びシフト値格納領域25に対するデータの読み書きを制御する制御回路50と、制御回路50に接続されたデータ処理回路100とを備える。「シフト値SFT」は、多値データが示す複数のデータ値とメモリセル21が有する複数の閾値電圧との対応関係を示す。このデータ処理回路100は、シフト値SFTを可変に設定する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
複数の閾値電圧のうちから所定の閾値電圧が設定されるメモリセルと、
前記所定の閾値電圧に対応するデータ値を設定するデータ処理回路とを有し、
前記データ値の設定が可変であることを特徴とする
不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C17/00 611E
, G11C17/00 631
, G11C17/00 641
5B125BA01
, 5B125BA19
, 5B125CA01
, 5B125DA06
, 5B125DB18
, 5B125DB19
, 5B125EA01
, 5B125EA10
, 5B125EB02
, 5B125EB03
, 5B125EF04
, 5B125FA01
, 5B125FA05
, 5B125FA06
