半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-336999
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176306
出願日： 1997年12月08日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】生産が容易で床面積の小さい小型の半導体装置を提供することにある。【解決手段】シリコンウエハ11の縁部近傍まで延在した前記プリント配線13a,14aの端部を、上方側に位置するシリコンウエハ21に設けた中継導電部26a,26bを介し、前記シリコンウエハ21の上面縁部から電気接続可能としてある。

請求項（抜粋）：

積み重ねて縁部を接合一体化した複数枚のウエハ間に空間を形成し、この空間の内面にプリント配線を設けた半導体装置において、前記ウエハの縁部近傍まで延在した前記プリント配線の端部を、上方側に位置するウエハに設けた中継導電部を介して前記ウエハの上面縁部から電気接続可能としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01H 59/00 , H01L 23/52

FI (2件)：

H01H 59/00 , H01L 23/52 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

継電器
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-232414 出願人：オムロン株式会社
リレーおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-299765 出願人：オムロン株式会社
マイクロデバイスの電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-082524 出願人：株式会社トーキン

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