特許

J-GLOBAL ID：200903012599019387

化学機械的研磨組成物

発明者： ツン-ホ リー ,  カン-フア リー ,  ツイ-ピン ヤー
出願人/特許権者： エターナル ケミカル シーオー.,エルティーディー.
代理人 (1件)： 有賀 三幸 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-208683
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085375
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】水性媒体、研磨剤及び研磨促進剤を含有し、半導体加工にて使用する化学機械的研磨組成物を提供する。【解決手段】研磨促進剤は、主に被除去物質の除去速度を高めるために機能し、次式の化合物(式中、X及びYは独立して孤立電子対含有原子又は原子グループを示し、R1及びR2は独立してH、アルキル、アミノ、アミノアルキル又はアルコキシである)、その酸付加塩、又は二以上の前記化合物及び塩からなる混合物から選択される。化学機械的研磨組成物は、任意に酸性成分及び/又はその塩を含有してもよく、それによって更に除去速度を高めることができる。更に、半導体ウェハの表面を研磨するために上記化学機械的研磨組成物を用いる方法を提供する。

請求項（抜粋）：

水性媒体、研磨剤及び研磨促進剤を含有し、前記研磨促進剤が次式の化合物【化1】(式中、X及びYは独立して孤立電子対含有原子又は原子グループを示し、R1及びR2は独立して水素原子、アルキル基、アミノ基、アミノアルキル基又はアルコキシ基を示す)、その酸付加塩、並びに二以上の前記化合物及び塩からなる混合物から選択される化学機械的研磨組成物。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-012878   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 研磨用組成物および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-322235   出願人：東京応化工業株式会社
• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-021197   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 半導体装置用金属膜研磨スラリ-
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-115158   出願人：昭和電工株式会社