特許
J-GLOBAL ID：200903012660091886

ハイブリッドPVD-CVDシステム

発明者：
竹原 尚子

竹原 尚子 について

, 
シェング サン

シェング サン について

, 
ジョン エム ホワイト

ジョン エム ホワイト について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 安齋 嘉章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-107819
公開番号（公開出願番号）：特開2007-023380
出願日： 2006年04月10日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】1つ又は複数のシリコン含有層及び1つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を製造する方法及び基板上に積層膜を形成するための基板処理システムを提供する。【解決手段】基板処理システムは、1つ又は複数のロードロックチャンバに接続された1つ又は複数の搬送ポット及び2つ以上の異なるタイプの処理チャンバを含む。2つ以上のタイプの処理チャンバは、真空を破ることなく、基板処理システムから基板を取り出して、同一の基板処理システムで1つ又は複数のシリコン含有層及び1つ又は複数の金属含有層を蒸着するために使用され、表面汚染、酸化などを防ぎ、別の洗浄や表面処理ステップを排除することができる。基板処理システムは、その場の基板処理のための高処理能力及びコンパクトな専有面積を提供し、かつ異なるタイプの処理を行うように構成されている。【選択図】図4B
請求項（抜粋）：
基板処理システムにおいて、基板上に1つ又は複数のシリコン含有層及び1つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を処理する方法であって、 前記基板処理システムの化学気相蒸着処理チャンバで、前記基板上に1つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するステップと、 前記化学気相蒸着処理チャンバから真空を破ることなく、同一の基板処理システムの物理気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動するステップと、 前記物理気相蒸着処理チャンバで、1つ又は複数のシリコン含有層の表面処理なしに、前記シリコン含有層の表面に1つ又は複数の金属含有層を蒸着するステップとを含む方法。
IPC (11件)：
C23C 16/44 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/02
FI (12件)：
C23C16/44 F ,  C23C14/56 G ,  H01L21/31 B ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 627B ,  H01L29/78 612D ,  H01L21/285 C ,  H01L21/283 B ,  H01L21/90 P ,  H01L21/285 S ,  H01L21/88 B ,  H01L21/02 Z
Fターム (146件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA07 ,  4K029BA08 ,  4K029BA11 ,  4K029BA16 ,  4K029BA17 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029KA02 ,  4K029KA09 ,  4K030BA30 ,  4K030BA37 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BA48 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104DD39 ,  4M104DD44 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  5F033GG00 ,  5F033HH05 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH10 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033LL04 ,  5F033MM08 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS11 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F045AA03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045CA05 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ17 ,  5F045EN04 ,  5F045HA24 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE15 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (14件)
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