薄膜形成装置および薄膜形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋山敦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202882
公開番号（公開出願番号）：特開2000-017457
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、高屈折率から低屈折率までの中間屈折率の薄膜を形成するに際し、プラスチック材上のハードコート膜に、耐擦傷性が向上し、任意な屈折率の成膜が可能で、プラスチック材との密着力の向上を目的とする薄膜形成が可能な薄膜形成装置と薄膜形成方法を提供する。【解決手段】薄膜形成装置Sは、真空装置11と連結された真空容器10と、この真空容器10内で基板を保持し回転機構21により回転される基板保持器20と、プラズマCVD装置30と、スパッタ装置40と、を備え、プラズマCVD装置30と、スパッタ装置40とを同一の真空容器10内に配置させ、プラズマCVD装置30とスパッタ装置40により基板に屈折率を制御可能な薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

真空装置と連結された真空容器と、該真空容器内で基板を保持し回転機構により回転される基板保持器と、プラズマCVD装置と、スパッタ装置と、を備え、前記プラズマCVD装置と、前記スパッタ装置と、を同一の真空容器内に配置させ、前記プラズマCVD装置と前記スパッタ装置により前記基板に屈折率を制御可能な薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (5件)：

C23C 28/04 , C23C 16/40 , C23C 16/50 , G02B 1/10 , C23C 14/34

FI (5件)：

C23C 28/04 , C23C 16/40 , C23C 16/50 , C23C 14/34 T , G02B 1/10 Z

Fターム (59件)：

2K009AA15 , 2K009CC03 , 2K009CC42 , 2K009DD03 , 2K009DD04 , 2K009DD09 , 4K029AA11 , 4K029AA24 , 4K029BA16 , 4K029BA17 , 4K029BA52 , 4K029BB02 , 4K029BB08 , 4K029BC02 , 4K029BC07 , 4K029BD06 , 4K029CA05 , 4K029CA08 , 4K029CA13 , 4K029DA02 , 4K029DA04 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA29 , 4K030BB03 , 4K030BB13 , 4K030CA07 , 4K030CA11 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030GA06 , 4K030HA03 , 4K030HA08 , 4K030HA14 , 4K030HA15 , 4K030JA02 , 4K030JA05 , 4K030JA15 , 4K030KA02 , 4K030KA12 , 4K030KA25 , 4K030KA28 , 4K030KA34 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 4K044AA16 , 4K044AB05 , 4K044AB10 , 4K044BA12 , 4K044BA14 , 4K044BA21 , 4K044BB02 , 4K044BB15 , 4K044BC05 , 4K044BC06 , 4K044BC14 , 4K044CA13 , 4K044CA14 , 4K044CA71

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平1-298153
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-196097 出願人：ソニー株式会社
誘導結合型プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-172353 出願人：東芝機械株式会社

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