特許
J-GLOBAL ID:200903012690978966
反射マスク、反射マスクの使用および反射マスクを製造する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-179958
公開番号(公開出願番号):特開2006-013494
出願日: 2005年06月20日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
【課題】 フレア効果が抑制され、同時に可能な限り薄いマスクの提供が可能な、反射マスクおよび反射マスクの使用を提供する。【解決手段】 本発明は、レイアウトをターゲット基板上にリソグラフィ法によって転写するための構造(20)を有する反射マスクに関し、特にEUVリソグラフィにおいて使用するためであり、かつ少なくとも部分的に多層構造(11)の明るいフィールドに配置される少なくとも1つのフレア減少層(13’)を特徴とする反射多層構造(11)を有する反射マスクに関する。さらに、本発明は反射マスクの使用と反射マスクを製造する方法とに関する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
リソグラフィ法によってレイアウトをターゲット基板上に転写するための構造を有し、特に、EUVリソグラフィで使用するためのものであり、かつ、反射多層構造を有する反射マスクであって、
少なくとも部分的に該多層構造(11)の明るいフィールド上に配置される少なくとも1つのフレア減少層(13’、17)を特徴とする、反射マスク。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
Fターム (5件):
2H095BA10
, 2H095BC13
, 5F046GD01
, 5F046GD07
, 5F046GD10
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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