特許
J-GLOBAL ID：200903012694449909

認証回路、半導体素子及びその使用方法、並びに、ICカード及びその使用方法

発明者：
丸山 研二

丸山 研二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-029351
公開番号（公開出願番号）：特開2003-233537
出願日： 2002年02月06日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】 非破壊での情報解読が不可能で、情報を製造後でも書込乃至消去可能であり、偽造防止用として各種機器等に好適な認証回路等の提供。【解決手段】 残留分極による電荷保持特性を示す強誘電体の内、異なるキュリー温度を有する少なくとも2種を有し、一の強誘電体のキュリー温度以上かつ他の強誘電体のキュリー温度未満の温度下に保持されると、該一の強誘電体に記憶された認証信号が消去される認証回路。一の強誘電体が1次認証信号を出力可能で、他の強誘電体が1次認証信号を入力すると2次認証信号を出力可能な態様、n種の強誘電体が2種以上の元素で形成され、各強誘電体毎に元素組成が異なる態様、2種以上の元素が、Na、K、Ba、Cd、Hf、O、Pb、Zr、Ti、La、Ca、Sr、Tl、Bi、希土類、Nb、Ta、W、Mo、Fe、Co及びCrから選択される態様等が好ましい。
請求項（抜粋）：
残留分極による電荷保持特性を示す強誘電体のうち、異なるキュリー温度を有する少なくとも2種を有してなり、一の強誘電体のキュリー温度以上で、かつ他の強誘電体のキュリー温度未満の温度下に保持されると、該一の強誘電体に記憶された認証信号が消去されることを特徴とする認証回路。
IPC (3件)：
G06F 12/14 320 ,  G06K 19/10 ,  H01L 27/105
FI (3件)：
G06F 12/14 320 D ,  H01L 27/10 444 B ,  G06K 19/00 R
Fターム (10件)：
5B017AA03 ,  5B017BA08 ,  5B017CA11 ,  5B017CA14 ,  5B035AA15 ,  5B035BB09 ,  5B035CA11 ,  5B035CA38 ,  5F083FR02 ,  5F083JA15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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