特許
J-GLOBAL ID：200903063246424826
窓型半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130663
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323789
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】窓領域・活性領域間の横モード結合損失および窓領域・活性領域接合部の散乱損失が極めて低く抑えられた窓型半導体レーザを実現することを目的とする。【解決手段】活性層(3)とクラッド層(2,7)並びにコンタクト層11等で構成され、共振器両端の活性層(3)が途切れた段差に、クラッド層(2,7)よりも低屈折率で、かつ高抵抗な埋め込み窓層(5)が埋め込まれている窓型半導体レーザにおいて、活性層(3)の残る段差の上底面と埋め込み窓層5の表面が0.1μm以下の精度で同一平面をなしており、その上部に電流ブロック層(9,10)により横モード制御構造が形成されていることを特徴とする。また、埋め込み窓層(5)を埋め込む工程において、塩酸添加の有機金属気相成長法を用い、塩酸/III族比を調整して段差斜面の横方向にのみ選択的に結晶成長させる手法を用いることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、および第3クラッド層が、この順に積層された構造を具備し、共振器両端部において、上記第2クラッド層、活性層、および第1クラッド層の途中までが除去された段差底部に、発振光に対して透明で、かつ電気的に高抵抗な半導体よりなる高抵抗埋め込み窓層が埋め込まれている窓型半導体レーザにおいて、上記共振器両端部の埋め込み窓層の上面と共振器内部における第2クラッド層の上面とが0.1μm以下の精度で同一平面を為していることを特徴とする窓型半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 648
, H01S 3/18 665
5F073AA09
, 5F073AA13
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073AA87
, 5F073CA05
, 5F073DA05
, 5F073DA23
, 5F073DA25
