特許
J-GLOBAL ID：200903012778039277

半導体発光素子

発明者：
木下 嘉将

木下 嘉将 について

, 
亀井 英徳

亀井 英徳 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-001216
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190803
出願日： 2005年01月06日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】半導体発光素子の特性を向上させるとともに特性の安定化を図る。【解決手段】GaN基板1の上にSiドープのGaNよりなるn型層2、SiドープのAlxGa1-x-yInyN(0<x<1、0<y<1)よりなる中間層3、SiドープのGaNよりなる第2のn型層4、アンドープのAlGaNよりなるバリア層5、多重量子井戸構造の活性層6、MgドープのAlGaNよりなるp型層7が順次形成され、p型層7の上にはp側電極8が形成され、p型層7から第2のn型層4までの多層構造の一部が除去されて露出された第2のn型層4の表面にn側電極9が形成された構成となっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体よりなる基板と、前記基板上に形成されたIII族窒化物半導体の複数層からなる第1導電型のクラッド構造と、前記第1導電型のクラッド構造の上に形成されたIII族窒化物半導体よりなる活性層と、前記活性層の上に形成されたIII族窒化物半導体よりなる第2導電型のクラッド層とを有し、前記第1導電型のクラッド構造はAlxGa1-x-yInyN(0.001≦x<0.1、0<y<1)よりなる中間層を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
Fターム (8件)：
5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA85 ,  5F173AH22 ,  5F173AH41 ,  5F173AK05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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