特許
J-GLOBAL ID：200903063977292457

窒化物半導体レーザ素子

発明者：
小崎 徳也

小崎 徳也 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-212851
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044570
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 素子の劣化を防止して寿命特性が良好となる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 活性層6が、障壁層の膜厚が100オングストローム以上で、且つ井戸層の膜厚に対する障壁層の膜厚の比が[井戸層の膜厚:障壁層の膜厚]=[1:3〜10]である量子井戸構造である。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型窒化物半導体、障壁層とInを含んでなる井戸層とを有する量子井戸構造の活性層、及びp型窒化物半導体を順に積層してなる窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層が、障壁層の膜厚が100オングストローム以上で、且つ井戸層の膜厚に対する障壁層の膜厚の比が[井戸層の膜厚:障壁層の膜厚]=[1:3〜10]である量子井戸構造であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Fターム (8件)：
5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • AlInGaN系半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-074220   出願人：富士写真フイルム株式会社
  • 窒化物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-285406   出願人：日亜化学工業株式会社
審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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