特許
J-GLOBAL ID：200903012816419070

半導体薄膜及びその形成方法

発明者：
田邉 浩

田邉 浩 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 桂木 雄二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229979
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028440
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【課題】 トラップ準位密度の小さいシリコン薄膜を光照射によって形成する技術を提供すると共に、大面積基板上に再現性よくその技術を応用するための技術を提供する。また、それらの良質なシリコン膜上に良質なゲート絶縁膜を形成することにより、良好な半導体一絶縁膜界面すなわち優れた特性を有する電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】光の照射工程を有する半導体薄膜の形成方法において、光が光マスク上に形成したパターンを半導体薄膜上に投影露光して、半導体薄膜上の所定の領域を改質する工程と、上記半導体薄膜上に絶縁膜を連続的に形成する工程とを含ませる。また、前記光照射による改質を経た領域と光学的な色が異なる光照射を経ない領域との色差を用いてアライメントマークを形成する。前記アライメントマークを基準に、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程、並びに上記半導体薄膜の上記積層膜の一部を基板上から除去する工程に際しての位置決めを行う。
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、光照射による改質を経た領域と光照射を経ない領域とが混在する半導体薄膜と、この半導体薄膜の表面に該半導体薄膜とは組成の異なる薄膜を積層して積層膜を形成してなる半導体薄膜。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
H01L 29/78 627 C ,  H01L 21/30 502 M ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (23件)：
5F046BA03 ,  5F046CA04 ,  5F046EA02 ,  5F046EA18 ,  5F046EA20 ,  5F046EB01 ,  5F046EB02 ,  5F046ED01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110PP03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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