特許
J-GLOBAL ID：200903097213226699
結晶化方法及び装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169924
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016836
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】低温プロセスにおいて電子素子に十分な大きさの粒径の多結晶シリコン薄膜を簡便な方法で得る。【解決手段】始めにパルスレーザの基板上における照射領域Aの狭い方の幅が1μm以下になるように少なくとも1パルスのレーザ照射を行い、次に上記照射領域を含み且つパルスレーザの基板上における照射領域Bの狭い方の幅が10μm以下になるように少なくとも1パルスのレーザ照射を行うことで上記アモルファスシリコン薄膜を多結晶化する。
請求項（抜粋）：
アモルファスシリコン薄膜を全面或いは一部分に堆積した基板にパルス幅が100ナノ秒以下のパルスレーザを照射して結晶化を行う方法で、まず始めに上記パルスレーザの上記基板上における照射領域Aの狭い方の幅が1μm以下になるように少なくとも1パルスのレーザ照射を行い、次に上記照射領域を含み且つ上記パルスレーザの上記基板上における照射領域Bの狭い方の幅が10μm以下になるように少なくとも1パルスのレーザ照射を行うことで上記アモルファスシリコン薄膜を多結晶化することを特徴とする結晶化方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/268 G
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 627 G
