薄膜処理方法及び薄膜処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：後藤洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-144363
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326190
出願日： 2000年05月17日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】トラップ準位密度の小さいシリコン薄膜を光照射によって形成する。【解決手段】薄膜に光ビームを照射することにより薄膜を処理する薄膜処理方法において、光ビームの一照射単位が、第1の光パルスの前記薄膜への照射と、該第1の光パルスの薄膜への照射の開始から時間的に遅延を持たせて開始される、第2の光パルスの薄膜への照射とから構成され、上記一照射単位の照射を繰り返し行うことにより薄膜を処理するものであり、第1及び第2の光パルスは、(前記第1の光パルスのパルス幅)>(前記第2の光パルスのパルス幅)を満たす。好ましくは、第1及び第2の光パルスは、(前記第1の光パルスの照射強度)≧(前記第2の光パルスの照射強度)を更に満たす。

請求項（抜粋）：

薄膜に光ビームを照射することにより前記薄膜を処理する薄膜処理方法において、前記光ビームの一照射単位が、第1の光パルスの前記薄膜への照射と、該第1の光パルスの前記薄膜への照射の開始から時間的に遅延を持たせて開始される、第2の光パルスの前記薄膜への照射とから構成され、上記一照射単位の照射を繰り返し行うことにより前記薄膜を処理するものであり、前記第1及び前記第2の光パルスは、(前記第1の光パルスのパルス幅)>(前記第2の光パルスのパルス幅)を満たすことを特徴とする薄膜処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 21/208 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/268 J , H01L 21/268 G , H01L 21/20 , H01L 21/208 Z , H01L 29/78 627 G

Fターム (63件)：

5F052AA02 , 5F052BA02 , 5F052BA11 , 5F052BA15 , 5F052BB01 , 5F052BB03 , 5F052BB06 , 5F052BB07 , 5F052CA07 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA15 , 5F052JA01 , 5F053AA18 , 5F053BB13 , 5F053DD01 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053GG02 , 5F053LL10 , 5F053PP12 , 5F053RR03 , 5F110AA16 , 5F110AA23 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP07 , 5F110PP13 , 5F110PP31 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体基板中へのドーピング層の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-236185 出願人：理化学研究所
多結晶シリコンの製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-008725 出願人：三星電子株式会社
薄膜の改質方法及びその実施に使用する装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-108239 出願人：日本電気株式会社

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