特許
J-GLOBAL ID：200903012830561637
半導体パッケージの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
保坂 俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-015704
公開番号（公開出願番号）：特開2009-177034
出願日： 2008年01月26日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】半導体ウエハとキャップウエハを接合した接合基板の反り量を低減する方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハ1とキャップウエハ3を接合した後で、半導体ウエハ1またはキャップウエハ3側からスクライブラインに沿ってハーフカット4し、横方向のチップ同士を部分的に分割する。半導体ウエハ1またはキャップウエハ3のどちらかの基板の途中までハーフカット4を入れる場合、半導体ウエハ1とキャップウエハ3を接合している層までハーフカット4を入れる場合および半導体ウエハ1またはキャップウエハ3のどちらかの基板は完全に分割され、かつもう一方の基板の深さ方向の途中まで分割されている場合の様式がある。いずれの場合も接合基板の反り量が大幅に低減し、ウエハ歩留まりや製品歩留まりが向上する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを支持基板と接合した後で、支持基板と接合していない半導体ウエハの面に加工処理を行う半導体ウエハレベルパッケージの製造方法において、半導体ウエハに支持基板を接合した後に、接合した状態で支持基板または半導体ウエハの表面から一定深さのカットラインを形成し、その後で支持基板と接合していない半導体ウエハの面に加工処理を行うことを特徴とする、半導体ウエハレベルパッケージの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
前のページに戻る
