特許
J-GLOBAL ID：200903012830833483

層間絶縁膜のドライエッチング方法

発明者：
森川 泰宏

森川 泰宏 について

, 
鄒 紅コウ

鄒 紅コウ について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (2件)： 東田 潔 ,  山下 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-305146
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079191
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 例えば、顔料にシロキサンベースのポリマーを添加した合成物質(SLAM)から構成される犠牲層を形成した比誘電率の低い層間絶縁膜をトレンチエッチングする場合、犠牲層のエッチング速度が層間絶縁膜のエッチング速度以上になり、その上、層間絶縁膜がダメージを受けないようにする。【解決手段】 エッチングガスとして、炭素結合のないフッ素生成ガスを用い、このエッチングガスを1.7Pa以下の作動圧力下で導入してエッチングを行う。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
デュアルダマシン構造形成の際に、ビアホールに犠牲層を形成した比誘電率の低い層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する層間絶縁膜のドライエッチング方法であって、 エッチングガスとして、炭素結合のないフッ素生成ガスを用い、このエッチングガスを1.7Pa以下の作動圧力下で導入してエッチングを行うことを特徴とする層間絶縁膜のドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768
FI (3件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/28 L ,  H01L21/90 A
Fターム (33件)：
4M104DD08 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  5F004AA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA19 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033WW06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM