特許
J-GLOBAL ID:200903012866918329
半導体装置の樹脂封止方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-274848
公開番号(公開出願番号):特開2004-056141
出願日: 2003年07月15日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
【課題】 一括封止型半導体装置の実用的な樹脂封止方法を提供する。【解決手段】 金型の片方に一括封止型半導体の基板を、他の一方に半固形状のエポキシ樹脂組成物を配置し、圧縮成形法にて加熱硬化させる。樹脂組成物は予め剥離紙に塗布した積層材料の形で又は予め金型の一方に充填して使用することが好ましい。樹脂組成物はシリカを93重量%以上含み、融点又は軟化点80°C以下の樹脂類(エポキシ樹脂、硬化剤)、硬化促進剤及びその他の添加剤等で構成される低熱膨張性のものが好ましい。又、その主成分として、粒径75μm以下の球状シリカ、液状又は半固形状のエポキシ樹脂、液状または固形酸無水物硬化剤、またはフェノール樹脂硬化剤であることが好ましい。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
金型の片方に一括封止型半導体の基板を、他の一方に半固形状のエポキシ樹脂組成物を配置し圧縮成形法にて加熱硬化させることを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
IPC (6件):
H01L23/29
, B29C43/18
, C08G59/62
, C08K3/36
, C08L63/00
, H01L23/31
FI (5件):
H01L23/30 R
, B29C43/18
, C08G59/62
, C08K3/36
, C08L63/00 C
Fターム (23件):
4F204AA39
, 4F204AB03
, 4F204AB17
, 4F204AB23
, 4F204AD03
, 4F204AH37
, 4F204FA01
, 4F204FB01
, 4F204FB12
, 4F204FN11
, 4J002CD001
, 4J002DJ016
, 4J002GQ05
, 4J036AA01
, 4J036DA01
, 4J036DA02
, 4J036FA05
, 4J036JA07
, 4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA22
, 4M109EB13
, 4M109EB16
引用特許:
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