特許
J-GLOBAL ID：200903012917761977

電気デバイス及び電気デバイスの製造方法

発明者：
川居 秀幸

川居 秀幸 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-078453
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268513
出願日： 2004年03月18日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 本発明は、複数の薄膜デバイス層が積層された構造を有する電気デバイスにおいて、信頼性の高い電気デバイス、電子機器及び電気デバイスの製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 半導体装置が形成された複数の薄膜デバイス層を含む複数の薄膜層16,28,36,44が積層されており、少なくともいずれかの隣接する前記薄膜層16,28,36,44間に所定の熱伝導性を有する伝導層24,32,40を備えていることを特徴とする電気デバイスにより、上記課題を解決する。伝導層24,32,40を構成する材料としては、例えば金属、金属化合物、金属又は金属化合物を分散させた樹脂或いは導電性高分子が用いられる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体装置が形成された複数の薄膜デバイス層を含む複数の薄膜層が積層されており、少なくともいずれかの隣接する前記薄膜層間に所定の熱伝導性を有する伝導層を備えていることを特徴とする電気デバイス。
IPC (9件)：
H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786
FI (9件)：
H01L27/08 102E ,  H01L27/00 301H ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627D ,  H01L27/04 H ,  H01L29/78 623Z
Fターム (36件)：
5F038BH16 ,  5F038CA05 ,  5F038CA08 ,  5F038CA16 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BC16 ,  5F048BG05 ,  5F048CB02 ,  5F110AA04 ,  5F110AA23 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB09 ,  5F110BB11 ,  5F110CC04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HL03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ16
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 3次元デバイスの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-048410   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 3次元デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-049883   出願人：セイコーエプソン株式会社
審査官引用 (25件)
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